전압 스너버(snubber) 회로는 주로 전압 변화율\(\frac{dv}{dt}\)을 제어하여 전력용 반도체 소자를 보호하는 데 사용됩니다. 따라서 스너버 회로의 주된 목적은 전압의 급격한 변화를 완화하는 것입니다. 

선택한 보기 4에서는 전류 상승률\(\frac{di}{dt}\)을 저감하기 위한 것이라고 설명하고 있는데, 이는 전압 스너버의 목적과는 맞지 않습니다. 전류 상승률을 제어하는 회로는 주로 인덕터(L)를 사용한 회로입니다. 따라서 보기 4는 전압 스너버 회로의 설명으로 틀린 항목입니다. 

이를 고려할 때, 전압 스너버 회로는 \(\frac{dv}{dt}\)의 완화를 목표로 하며, 전류 상승률\(\frac{di}{dt}\)과 직접적인 관련은 없습니다.