SRAM은 정적 랜덤 액세스 메모리로, 플립플롭(flip-flop)으로 구성된 메모리 셀을 사용합니다. 플립플롭은 두 개의 안정 상태를 가지며, 데이터를 저장하기 위해 전원이 계속 공급되어야 합니다. 이와 달리, DRAM은 캐패시터와 트랜지스터로 구성되어 주기적인 리프레시가 필요하고, PROM과 EPROM은 비휘발성 메모리로 주로 반도체 퓨즈나 부유 게이트 트랜지스터를 사용합니다. 따라서 질문에서 요구하는 플립플롭으로 구성된 메모리 셀은 SRAM에 해당합니다.